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射频晶体管
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D2203UK

  • Semelab / TT Electronics
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Silicon DMOS RF FET 5W-12.5V-1GHz PP
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1
¥711.3802
711.3802
10
¥628.167
6281.67
25
¥557.4742
13936.855
50
¥499.234
24961.7
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
TT Electronics
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
2 A
Vds-漏源极击穿电压
40 V
增益
10 dB
输出功率
5 W
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
DQ
配置
Dual
工作频率
1 GHz
类型
RF Power MOSFET
商标
Semelab / TT Electronics
Pd-功率耗散
35 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
25
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Vgs th-栅源极阈值电压
1 V to 7 V
商品其它信息
优势价格，D2203UK的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
MT3S113(TE85L,F)
Toshiba
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1:¥1,628.0136
2:¥1,588.8252
5:¥1,565.615
10:¥1,543.4105
参考库存:17261
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1:¥1,780.3828
5:¥1,737.5784
10:¥1,694.4011
25:¥1,670.6598
50:¥1,670.6598
参考库存:17264
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MRF1K50H-TF1/HWONLY///BOARDS NO MARK
1:¥7,203.75
参考库存:3769
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 300W - 50V Moisture Resistnt HF/VHF DMOS
1:¥1,081.6021
5:¥1,060.392
10:¥1,010.9884
25:¥989.6992
参考库存:3818
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