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射频晶体管
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2SK3075(TE12L,Q)

  • Toshiba
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 N-Ch Radio Freq 5A 20W 30V VDSS
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数量单价合计
1
¥51.641
51.641
10
¥41.4936
414.936
100
¥37.8776
3787.76
250
¥34.1938
8548.45
1,000
¥25.8205
25820.5
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Toshiba
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
是
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
5 A
Vds-漏源极击穿电压
30 V
增益
11.7 dB
输出功率
7.5 W
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PW-X-4
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
配置
Single
工作频率
520 MHz
系列
2SK3075
类型
RF Power MOSFET
商标
Toshiba
Pd-功率耗散
20 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
25 V
Vgs th-栅源极阈值电压
1.5 V
单位重量
300 mg
商品其它信息
优势价格，2SK3075(TE12L,Q)的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
NPTB00025B
MACOM
射频晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-4.0GHz 25W Gain 13.5dB GaN HEMT
1:¥1,323.2639
2:¥1,286.6067
5:¥1,257.1815
10:¥1,220.4452
参考库存:18442
BF 771 E6327
Infineon Technologies
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1:¥3.616
10:¥2.5764
100:¥1.1865
1,000:¥0.91417
3,000:¥0.77631
参考库存:10609
PTFB193404F-V1-R0
Wolfspeed / Cree
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
50:¥1,281.0019
参考库存:18447
A2T09VD250NR1
NXP / Freescale
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 A2T09VD250N/FM6F///REEL 13 Q2 DP
500:¥709.1541
参考库存:18450
MAPRST1214-30UF
MACOM
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 1.2-1.4GHz 30W Gain:7.5dB
7:¥2,172.1877
10:¥2,137.1464
25:¥2,060.0804
参考库存:18453
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