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射频晶体管
PTFB213004F-V2-R0参考图片

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PTFB213004F-V2-R0

  • Wolfspeed / Cree
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
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库存:16,949(价格仅供参考)
数量单价合计
50
¥1,097.7385
54886.925
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Cree, Inc.
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
晶体管极性
Dual N-Channel
技术
Si
Vds-漏源极击穿电压
65 V
Rds On-漏源导通电阻
30 mOhms
增益
18 dB
输出功率
300 W
最大工作温度
+ 225 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
H-37275-6/2
封装
Reel
工作频率
2110 MHz to 2170 MHz
类型
RF Power MOSFET
商标
Wolfspeed / Cree
通道数量
2 Channel
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
商品其它信息
优势价格,PTFB213004F-V2-R0的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
CEL
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Pout 39.5dBm PAE 66% Eval Brd for 460MHz
1:¥960.50
参考库存:14651
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 2.11-2.17GHz 19Watt Gain 14.5dB
1:¥751.111
5:¥689.2548
10:¥618.562
25:¥547.8692
参考库存:14654
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 BIP NPN 70MA 10V FT=5.5
8,000:¥0.66896
24,000:¥0.62263
48,000:¥0.56048
96,000:¥0.53788
参考库存:65156
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 L-Band/Bipolar Radar Transistor
10:¥3,212.3753
参考库存:14659
射频晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-6.0GHz 30 Watt 28V GaN Flangeless
1:¥1,083.444
25:¥937.0638
100:¥810.5038
参考库存:1232
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