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射频晶体管

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ARF461BG

  • Microchip / Microsemi
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  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS)
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数量单价合计
1
¥337.0225
337.0225
2
¥327.8808
655.7616
5
¥318.8069
1594.0345
10
¥309.6652
3096.652
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Microchip
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
是
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
6.5 A
Vds-漏源极击穿电压
1 kV
增益
13 dB
输出功率
150 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
封装
Tube
工作频率
65 MHz
类型
RF Power MOSFET
商标
Microchip / Microsemi
正向跨导 - 最小值
3 mS
通道数量
1 Channel
Pd-功率耗散
250 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
1
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Vgs th-栅源极阈值电压
5 V
商品其它信息
优势价格，ARF461BG的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
AFT27S010NT1
NXP / Freescale
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Airfast RF Pwr LDMOS Trx, .7-3.6GHz 1.26W
1:¥123.5542
10:¥113.565
25:¥108.5704
100:¥95.9709
1,000:¥75.9925
参考库存:7125
AFT26HW050SR3
NXP / Freescale
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HV9 2.6GHz 50W NI780-4S4
1:¥607.262
5:¥589.5888
10:¥576.9893
25:¥552.7056
250:¥490.081
参考库存:17697
AFT26P100-4WGSR3
NXP / Freescale
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 2496-2690 MHz 22 W Avg. 28 V
250:¥636.1561
参考库存:17700
PTVA092407NF-V1-R5
Wolfspeed / Cree
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
500:¥548.8636
参考库存:17703
BFP 540 H6327
Infineon Technologies
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTOR
1:¥4.3053
10:¥3.616
100:¥2.2035
1,000:¥1.7063
3,000:¥1.4577
参考库存:11067
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