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射频晶体管

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ARF461BG

  • Microchip / Microsemi
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS)
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数量单价合计
1
¥337.0225
337.0225
2
¥327.8808
655.7616
5
¥318.8069
1594.0345
10
¥309.6652
3096.652
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Microchip
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
6.5 A
Vds-漏源极击穿电压
1 kV
增益
13 dB
输出功率
150 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
封装
Tube
工作频率
65 MHz
类型
RF Power MOSFET
商标
Microchip / Microsemi
正向跨导 - 最小值
3 mS
通道数量
1 Channel
Pd-功率耗散
250 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
1
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Vgs th-栅源极阈值电压
5 V
商品其它信息
优势价格,ARF461BG的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 NPN Silicon RF TRANSISTOR
1:¥2.9154
10:¥2.2374
100:¥1.2091
1,000:¥0.90626
3,000:¥0.78422
9,000:¥0.72998
参考库存:7647
射频晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 8-12GHz 25W GaN PAE 50% Gain 11dB
1:¥476.408
25:¥412.0206
100:¥356.3794
250:¥331.4064
参考库存:4094
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF PWR Trans LdMOST N-Ch 6W 15dB 870MHz
1:¥116.0284
10:¥106.6494
25:¥102.2763
100:¥90.061
600:¥80.1396
参考库存:17532
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Silicon DMOS RF FET 40W-28V-175HMz SE
1:¥499.3809
10:¥439.1406
25:¥390.3472
50:¥350.1644
参考库存:17535
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
250:¥1,046.8659
参考库存:17538
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