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射频晶体管

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CG2H80030D-GP4

  • Wolfspeed / Cree
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  • 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT Die DC-8.0GHz, 30 Watt
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Cree, Inc.
产品种类
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
发货限制：
此产品可能需要其他文件才能从美国出口。
RoHS
是
晶体管类型
HEMT
技术
GaN
增益
16.5 dB
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
120 V
Vgs-栅源极击穿电压
- 10 V, 2 V
Id-连续漏极电流
3 A
输出功率
30 W
最小工作温度
-
最大工作温度
+ 225 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
Die
封装
Gel Pack
工作频率
8 GHz
商标
Wolfspeed / Cree
产品类型
RF JFET Transistors
Rds On-漏源导通电阻
410 mOhms
工厂包装数量
10
子类别
Transistors
Vgs th-栅源极阈值电压
- 3 V
商品其它信息
优势价格，CG2H80030D-GP4的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
VRF161MP
Microchip / Microsemi
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS)
1:¥858.6079
2:¥831.9512
5:¥831.7139
10:¥804.899
参考库存:1558
BFP 740FESD H6327
Infineon Technologies
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 RF BI
1:¥3.842
10:¥3.1979
100:¥1.9549
1,000:¥1.5029
3,000:¥1.2882
参考库存:5701
AFIC31025NR1
NXP Semiconductors
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 AFIC31025N/FM17F///REEL 13 Q2 DP
500:¥271.8554
参考库存:15060
RFM00U7U(TE85L,F)
Toshiba
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Radio-Freq PwrMOSFET N-Ch 0.1A 0.25W 20V
1:¥10.2152
10:¥8.2264
100:¥6.2828
500:¥5.5596
3,000:¥3.8872
参考库存:15063
NPT25100B
MACOM
射频晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 2.1-2.7GHz 125W Gain 16.5dB GaN
1:¥1,344.0898
2:¥1,306.9693
5:¥1,277.0017
10:¥1,239.6552
参考库存:1570
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