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射频晶体管
PD55035STR-E参考图片

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PD55035STR-E

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER R.F.
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库存:17,871(价格仅供参考)
数量单价合计
600
¥181.8057
109083.42
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
7 A
Vds-漏源极击穿电压
40 V
增益
16.9 dB
输出功率
35 W
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerSO-10RF-Straight-4
封装
Reel
配置
Single
高度
3.5 mm
长度
7.5 mm
工作频率
1 GHz
系列
PD55035-E
类型
RF Power MOSFET
宽度
9.4 mm
商标
STMicroelectronics
通道模式
Enhancement
湿度敏感性
Yes
Pd-功率耗散
95 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
600
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
单位重量
3 g
商品其它信息
优势价格,PD55035STR-E的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 2110-2170 MHz 32 W Avg. 28 V
250:¥1,013.2936
参考库存:16588
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 30-200MHz 30Watts 28Volt Gain 10dB
1:¥227.9097
10:¥217.073
参考库存:3161
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 RF Transistor
1:¥80.682
10:¥67.235
25:¥60.5454
50:¥53.788
参考库存:3231
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 RF Transistor
1:¥507.144
10:¥422.62
25:¥380.358
50:¥338.096
参考库存:3109
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
1:¥494.3863
5:¥483.3236
10:¥464.4187
25:¥449.4349
参考库存:16597
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