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射频晶体管

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CGH27015F

  • Wolfspeed / Cree
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  • 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT VHF-3.0GHz, 15 Watt
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Cree, Inc.
产品种类
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
RoHS
是
晶体管类型
HEMT
技术
GaN
增益
14.5 dB
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
120 V
Vgs-栅源极击穿电压
- 10 V, 2 V
Id-连续漏极电流
3.5 A
输出功率
15 W
最大漏极/栅极电压
28 V
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
14 W
安装风格
Screw Mount
封装 / 箱体
440166
封装
Tray
应用
Telecom
配置
Single
工作频率
2.7 GHz
工作温度范围
- 40 C to + 150 C
商标
Wolfspeed / Cree
NF—噪声系数
3 dB
产品类型
RF JFET Transistors
工厂包装数量
50
子类别
Transistors
Vgs th-栅源极阈值电压
- 3 V
商品其它信息
优势价格，CGH27015F的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
D1210UK
Semelab / TT Electronics
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Silicon DMOS RF FET 10W-12.5V-175MHz SE
50:¥340.7063
100:¥329.4176
250:¥323.8015
参考库存:14963
D2005UK
Semelab / TT Electronics
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Silicon DMOS RF FET 7.5W-28V- 1GHz SE
50:¥416.9361
参考库存:14966
NSVF4009SG4T1G
ON Semiconductor
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 BIP NPN 40MA 3.5V FT=25G
1:¥3.6838
10:¥3.0623
100:¥1.8645
1,000:¥1.4464
3,000:¥1.2317
参考库存:5237
BFU580GX
NXP Semiconductors
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 NPN wideband silicon RF transistor
1:¥6.3732
10:¥5.2432
100:¥3.3787
1,000:¥2.7007
2,000:¥2.2939
参考库存:3330
EVB2458
Skyworks Solutions, Inc.
射频晶体管
射频开发工具 Evaluation Board
暂无价格
参考库存:14973
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