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射频晶体管

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	Qorvo
产品种类	射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
RoHS	是
技术	GaN
增益	21.7 dB
Vds-漏源极击穿电压	-
Vgs-栅源极击穿电压	-
Id-连续漏极电流	-
输出功率	45 W
最大漏极/栅极电压	-
最小工作温度	- 40 C
最大工作温度	-
Pd-功率耗散	45 W
安装风格	SMD/SMT
封装 / 箱体	QFN-20
封装	Cut Tape
封装	Reel
应用	Microcell Base Station, W-CDMA / LTE
配置	Single
工作频率	DC to 4 GHz
系列	QPD
商标	Qorvo
正向跨导 - 最小值	-
产品类型	RF JFET Transistors
工厂包装数量	250
子类别	Transistors
零件号别名	1132528

商品其它信息

优势价格，QPD0030的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。

推荐型号

型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
BFG35,115	NXP Semiconductors	射频晶体管	PDF数据手册	射频(RF)双极晶体管 NPN 10V 150mA 4GHZ	1:¥9.1417 10:¥7.7631 100:¥5.989 500:¥5.2997 1,000:¥4.181	参考库存:9607
MMRF1018NR1	NXP / Freescale	射频晶体管	PDF数据手册	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MMRF1018N/FM4F///REEL 13 Q2 DP	500:¥382.1999	参考库存:18439
NPTB00025B	MACOM	射频晶体管	PDF数据手册	射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-4.0GHz 25W Gain 13.5dB GaN HEMT	1:¥1,323.2639 2:¥1,286.6067 5:¥1,257.1815 10:¥1,220.4452	参考库存:18442
BF 771 E6327	Infineon Technologies	射频晶体管	PDF数据手册	射频(RF)双极晶体管 NPN RF Transistor 12V 80mA 580mW	1:¥3.616 10:¥2.5764 100:¥1.1865 1,000:¥0.91417 3,000:¥0.77631	参考库存:10609
PTFB193404F-V1-R0	Wolfspeed / Cree	射频晶体管	PDF数据手册	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET	50:¥1,281.0019	参考库存:18447