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射频晶体管

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AGR18060EF

制造商:Advanced Semiconductor, Inc.
批号:新批次
描述:射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 1.8-1.88GHz 60Watt Gain 14dB
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5	¥719.2224	3596.112
10	¥645.456	6454.56
25	¥571.6896	14292.24

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参数信息

参数	参数值
制造商	Advanced Semiconductor, Inc.
产品种类	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS	是
技术	Si
封装	Tray
商标	Advanced Semiconductor, Inc.
产品类型	RF MOSFET Transistors
工厂包装数量	10
子类别	MOSFETs

商品其它信息

优势价格，AGR18060EF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。

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图片	型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
	CGH60120D-GP4	Wolfspeed / Cree	射频晶体管	PDF数据手册	射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT Die DC-6.0GHz, 120 Watt	暂无价格	参考库存:17578
	PTVA123501EC-V2-R0	Wolfspeed / Cree	射频晶体管	PDF数据手册	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET	50:¥3,941.1236	参考库存:17581
	0405SC-100M	Microchip / Microsemi	射频晶体管	PDF数据手册	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Bipolar/LDMOS Transistor	5:¥3,613.5592	参考库存:17584
	MMRF1016HR5	NXP / Freescale	射频晶体管	PDF数据手册	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MMRF1016H/CFM4F///REEL 13	1:¥1,730.9792 5:¥1,692.401 10:¥1,657.7439 25:¥1,633.3133 50:¥1,573.9883	参考库存:17587
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