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射频晶体管
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GTVA123501FA-V1-R0

  • Wolfspeed / Cree
  • 新批次
  • 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT 50V 1.2-1.4GHz 350W
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¥3,749.1818
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50
¥3,749.1818
187459.09
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Cree, Inc.
产品种类
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
RoHS
是
晶体管类型
HEMT
技术
GaN SiC
增益
18 dB
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
150 V
Vgs-栅源极击穿电压
- 10 V to 2 V
Id-连续漏极电流
15 A
输出功率
350 W
最大漏极/栅极电压
-
安装风格
Flange Mount
封装 / 箱体
H-37265J-2
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
工作频率
1.2 GHz to 1.4 GHz
商标
Wolfspeed / Cree
开发套件
LTN/GTVA123501FA-V1
产品类型
RF JFET Transistors
工厂包装数量
50
子类别
Transistors
Vgs th-栅源极阈值电压
- 3 V
商品其它信息
优势价格，GTVA123501FA-V1-R0的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
BFT25,215
NXP Semiconductors
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 TAPE7 TNS-RFSS
1:¥4.4522
10:¥3.6838
100:¥2.2487
1,000:¥1.7402
3,000:¥1.4803
参考库存:7225
AFT20S015NR1
NXP / Freescale
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 AF 1.8-2.7G 15W TO270-2
500:¥156.0643
参考库存:17649
AGR09030EF
Advanced Semiconductor, Inc.
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Transistor
1:¥507.144
10:¥422.62
25:¥380.358
50:¥338.096
参考库存:17652
AGR21045EF
Advanced Semiconductor, Inc.
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 2.11-2.17GHz 10Watt Gain 14.5dB
1:¥457.198
5:¥419.5464
10:¥376.516
25:¥333.4856
参考库存:17655
GTVA261701FA-V1-R2
Wolfspeed / Cree
射频晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 RF LDMOS FET
250:¥1,097.7385
参考库存:17658
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