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射频晶体管
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D2219UK

  • Semelab / TT Electronics
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Silicon DMOS RF FET 2.5W-12.5V-1GHz SE
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数量单价合计
1
¥183.5685
183.5685
10
¥162.1324
1621.324
25
¥147.0695
3676.7375
50
¥130.9331
6546.655
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
TT Electronics
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
2 A
Vds-漏源极击穿电压
40 V
增益
10 dB
输出功率
2.5 W
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SO-8
配置
Single
高度
2.18 mm
长度
5.08 mm
工作频率
1 GHz
类型
RF Power MOSFET
宽度
4.06 mm
商标
Semelab / TT Electronics
Pd-功率耗散
17.5 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Vgs th-栅源极阈值电压
1 V to 5 V
商品其它信息
优势价格，D2219UK的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
A2T27S007NT1
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2,000:¥8.6784
5,000:¥8.3733
10,000:¥8.0682
参考库存:16156
1014-6A
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1:¥1,525.5791
2:¥1,488.8541
5:¥1,473.0228
10:¥1,451.8918
参考库存:16159
MRF8HP21080HR3
NXP / Freescale
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1:¥478.0239
5:¥464.0345
10:¥454.1244
25:¥435.0726
250:¥385.7368
参考库存:16162
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