您好!欢迎来到宝华芯城 登录 注册

产品分类

射频晶体管
BFP 410 H6327参考图片

图片仅供参考, 请参阅产品规格

  • 分享到:
  • 0

BFP 410 H6327

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • 射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTORS
  • 数据手册下载
购买、咨询产品请填写询价信息
询价型号*数量*批号封装品牌其它要求
请确认联系方式,3分钟内即可给您回复
  • 公司名:
  • *联系人:
  • *电话:
  • *邮箱:
   微信:      QQ:
库存:5,676(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥3.1527
3.1527
10
¥2.599
25.99
100
¥1.582
158.2
1,000
¥1.2204
1220.4
3,000
¥1.04525
3135.75
询价数量:
加入询价单立即询价
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
射频(RF)双极晶体管
RoHS
系列
BFP410
晶体管类型
Bipolar
技术
Si
晶体管极性
NPN
直流集电极/Base Gain hfe Min
60
集电极—发射极最大电压 VCEO
4.5 V
发射极 - 基极电压 VEBO
1.5 V
集电极连续电流
40 mA
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-343
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
工作频率
25 GHz
类型
RF Bipolar Small Signal
商标
Infineon Technologies
Pd-功率耗散
150 mW
产品类型
RF Bipolar Transistors
工厂包装数量
3000
子类别
Transistors
零件号别名
BFP410H6327XTSA1 BFP41H6327XT SP000762244
单位重量
7 mg
商品其它信息
优势价格,BFP 410 H6327的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
CEL
射频晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 12GHz NF .3dB Ga 13.7dB -55C +125C
1:¥11.6051
10:¥8.8366
100:¥6.4523
500:¥5.4918
参考库存:4670
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
250:¥524.7381
参考库存:17459
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTORS
1:¥4.2262
10:¥3.4691
100:¥2.1244
1,000:¥1.6385
3,000:¥1.4012
参考库存:6840
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 3.6V 1W RF Pwr Trans for 900MHz Ap
1:¥35.1882
25:¥27.5042
50:¥23.8204
250:¥23.278
1,000:¥21.2101
参考库存:4189
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 A2T21S161W12S/CFM4F///REEL 13 Q2 NDP
250:¥438.7564
参考库存:17466
  • 一站式采购
  • 正品保障
  • 价格优势
  • 闪电发货

深圳市毅创辉电子科技有限公司

电话:0755-82865099

手机:19129491934

传真:0755-83267787

Email: sunny@yichuanghui.com

Q Q:

地址:深圳市福田区华强北路宝华大厦A座2028


微信联系我们

QQ二维码

Copyright © 2010-2020 深圳市毅创辉电子科技有限公司 粤ICP备12090764号

24小时在线客服
热线电话

0755-82865099

微信联系我们 微信扫码联系我们