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射频晶体管
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2N3819

  • Central Semiconductor
  • 新批次
  • 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 N-CH -25V 10mA BULK Engineering Hold
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数量单价合计
5,000
¥2.4182
12091
10,000
¥2.3278
23278
25,000
¥2.2374
55935
询价数量：
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Central Semiconductor
产品种类
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
RoHS
是
晶体管类型
JFET
技术
Si
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
25 V
Vgs-栅源极击穿电压
25 V
Id-连续漏极电流
20 mA
Pd-功率耗散
360 mW
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-92
封装
Bulk
配置
Single
产品
RF JFET
系列
2N3819
类型
JFET
商标
Central Semiconductor
产品类型
RF JFET Transistors
工厂包装数量
2500
子类别
Transistors
单位重量
453.600 mg
商品其它信息
优势价格，2N3819的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
BFU730F,115
NXP Semiconductors
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 NPN WIDEBAND SILICON GERMANIUM RF TRANS
1:¥3.4578
10:¥2.825
100:¥1.7176
1,000:¥1.3334
3,000:¥1.1413
参考库存:4698
PD84006L-E
STMicroelectronics
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF power trans LDmoST plastic
1:¥69.6984
10:¥63.0088
25:¥60.0934
100:¥52.1721
3,000:¥38.1149
参考库存:4520
PTFB183404E-V1-R250
Wolfspeed / Cree
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
250:¥1,281.0019
参考库存:15906
AFT21S240-12SR3
NXP / Freescale
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 2110-2170 MHz 55 W AVG. 28 V
250:¥759.2583
参考库存:15909
D2012UK
Semelab / TT Electronics
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Silicon DMOS RF FET 10W-28V-1GHz SE
1:¥579.2945
10:¥511.5284
25:¥453.9662
50:¥406.5627
参考库存:15912
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