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射频晶体管
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TH430

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库存:2,013(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥636.8454
636.8454
10
¥584.3682
5843.682
25
¥524.433
13110.825
50
¥464.4978
23224.89
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Advanced Semiconductor, Inc.
产品种类
射频(RF)双极晶体管
RoHS
是
晶体管类型
Bipolar Power
技术
Si
晶体管极性
NPN
直流集电极/Base Gain hfe Min
15
集电极—发射极最大电压 VCEO
55 V
发射极 - 基极电压 VEBO
4 V
集电极连续电流
40 A
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 200 C
安装风格
Screw Mount
封装 / 箱体
M177
封装
Tray
工作频率
30 MHz
类型
RF Bipolar Power
商标
Advanced Semiconductor, Inc.
Pd-功率耗散
330 W
产品类型
RF Bipolar Transistors
子类别
Transistors
商品其它信息
优势价格,TH430的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
CEL
射频晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 12GHz NF .42dB Ga 12.2dB -55C +125C
1:¥9.1417
10:¥6.9721
100:¥5.0737
500:¥4.3053
参考库存:1201
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 AFT05MS003N/SIL3///REEL 7 Q2 NDP
1:¥24.2837
10:¥22.2836
25:¥20.2835
100:¥18.2156
1,000:¥13.673
参考库存:13612
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 W/ANNEAL TXARRAY 2X PNP MATCHED INDEL
3,000:¥34.1147
参考库存:14521
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTOR
1:¥2.9154
10:¥2.0792
100:¥0.9605
1,000:¥0.73789
3,000:¥0.63054
参考库存:9923
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 Comm/Bipolar Transistor
75:¥567.8476
100:¥554.6266
参考库存:14526
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