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射频晶体管
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BFU520AR

  • NXP Semiconductors
  • 新批次
  • 射频(RF)双极晶体管 Dual NPN wideband Silicon RFtransistor
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数量单价合计
1
¥3.0736
3.0736
10
¥2.5312
25.312
100
¥1.5481
154.81
1,000
¥1.1978
1197.8
3,000
¥1.02152
3064.56
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
射频(RF)双极晶体管
RoHS
是
晶体管类型
Bipolar Wideband
技术
Si
晶体管极性
NPN
直流集电极/Base Gain hfe Min
60
集电极—发射极最大电压 VCEO
16 V
发射极 - 基极电压 VEBO
2 V
集电极连续电流
5 mA
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
配置
Single
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-23-3
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
集电极—基极电压 VCBO
24 V
直流电流增益 hFE 最大值
200
工作频率
900 MHz
工作温度范围
- 40 C to + 150 C
类型
Wideband RF Transistor
商标
NXP Semiconductors
增益带宽产品fT
10 GHz
最大直流电集电极电流
50 mA
Pd-功率耗散
450 mW
产品类型
RF Bipolar Transistors
工厂包装数量
3000
子类别
Transistors
零件号别名
934067697215
单位重量
7.530 mg
商品其它信息
优势价格，BFU520AR的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
AFT09S220-02NR3
NXP / Freescale
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 AFT09S220-02N/FM2F///REEL 13 Q2 DP
250:¥822.7304
参考库存:17780
A2T18S262W12NR3
NXP Semiconductors
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 A2T18S262W12N/FM4F///REEL 13 Q2 DP
1:¥625.6358
5:¥614.1098
10:¥586.5152
25:¥566.921
100:¥527.8908
250:¥483.7869
参考库存:17783
BFR 93A E6327
Infineon Technologies
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 NPN Silicon RF TRANSISTOR
1:¥2.8476
10:¥2.2035
100:¥1.1978
1,000:¥0.89948
3,000:¥0.77631
9,000:¥0.72207
参考库存:28923
A2T26H160-24SR3
NXP / Freescale
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 A2T26H160-24S/CFM6F///REEL 13 Q2 NDP
250:¥1,028.5825
参考库存:17788
AGR18090EF
Advanced Semiconductor, Inc.
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 1.8-1.88GHz 90Watt Gain 14dB
1:¥751.111
5:¥689.2548
10:¥618.562
25:¥547.8692
参考库存:17791
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