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射频晶体管

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	Toshiba
产品种类	射频(RF)双极晶体管
RoHS	是
系列	2SC5087
晶体管类型	Bipolar
技术	Si
晶体管极性	NPN
直流集电极/Base Gain hfe Min	120
集电极—发射极最大电压 VCEO	12 V
发射极 - 基极电压 VEBO	3 V
集电极连续电流	80 mA
最小工作温度	- 55 C
最大工作温度	+ 125 C
配置	Single
安装风格	SMD/SMT
封装 / 箱体	SMQ-4
封装	Cut Tape
封装	MouseReel
封装	Reel
集电极—基极电压 VCBO	20 V
直流电流增益 hFE 最大值	240
工作频率	8 GHz (Typ)
工作温度范围	- 55 C to + 125 C
类型	VHF UHF Low Noise Low Distortion Amplifier
商标	Toshiba
Pd-功率耗散	150 mW
产品类型	RF Bipolar Transistors
工厂包装数量	3000
子类别	Transistors

商品其它信息

优势价格，2SC5087R(TE85L,F)的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。

推荐型号

型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
PXAC192908FV-V1-R0	Wolfspeed / Cree	射频晶体管	PDF数据手册	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET	50:¥1,036.2665	参考库存:15837
TGF2160	Qorvo	射频晶体管	PDF数据手册	射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-20GHz Gain 10.4dB PAE 63% DIE	100:¥132.7072 300:¥124.0175 500:¥115.9493	参考库存:15840
D1008UK	Semelab / TT Electronics	射频晶体管	PDF数据手册	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Silicon DMOS RF FET 80W-28V-500MHz PP	1:¥1,139.0739 10:¥1,005.8356 25:¥892.5757 50:¥845.9293	参考库存:15843
PXAD184218FV-V1-R0	Wolfspeed / Cree	射频晶体管	PDF数据手册	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET	50:¥1,159.2105	参考库存:15846
QPD2194SR	Qorvo	射频晶体管	PDF数据手册	射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 300 W, 48 V, 1.8-2.2 GHz GaN RF Power Transistor	100:¥1,124.8585	参考库存:15849