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射频晶体管
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D2003UK

  • Semelab / TT Electronics
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Silicon DMOS RF FET 5W-28V-1GHz PP
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数量单价合计
1
¥708.1597
708.1597
10
¥625.3194
6253.194
25
¥554.943
13873.575
50
¥496.9966
24849.83
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
TT Electronics
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
1 A
Vds-漏源极击穿电压
65 V
增益
13 dB
输出功率
5 W
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
DQ
配置
Dual
工作频率
1 GHz
类型
RF Power MOSFET
商标
Semelab / TT Electronics
Pd-功率耗散
35 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
25
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Vgs th-栅源极阈值电压
1 V to 7 V
商品其它信息
优势价格,D2003UK的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Transistor
1:¥437.988
10:¥364.99
25:¥328.491
50:¥291.992
参考库存:3998
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 HIGH FREQUENCY AMPLIFIER
1:¥3.0736
10:¥2.4973
100:¥1.5255
1,000:¥1.1865
3,000:¥1.00683
参考库存:33735
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR
1:¥2.9154
10:¥2.0905
100:¥0.9605
1,000:¥0.73789
参考库存:15849
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管
1:¥1,169.8099
2:¥1,146.837
5:¥1,108.643
10:¥1,088.7437
参考库存:17499
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 Dual NPN wideband Silicon RFtransistor
1:¥3.9211
10:¥2.9945
100:¥1.6159
1,000:¥1.2317
3,000:¥1.07576
参考库存:6846
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