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射频晶体管
PTRA097008NB-V1-R2参考图片

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PTRA097008NB-V1-R2

  • Wolfspeed / Cree
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Power Amplifier
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数量单价合计
250
¥1,018.13
254532.5
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Cree, Inc.
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
600 mA
Vds-漏源极击穿电压
105 V
Rds On-漏源导通电阻
70 mOhms
增益
19 dB
输出功率
630 W
安装风格
Screw Mount
封装 / 箱体
PG-HB2SOF-6-1
封装
Reel
工作频率
920 MHz to 960 MHz
类型
RF Power MOSFET
商标
Wolfspeed / Cree
通道数量
2 Channel
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
250
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
3.65 V
商品其它信息
优势价格,PTRA097008NB-V1-R2的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS)
1:¥1,529.1951
2:¥1,492.391
5:¥1,470.5594
10:¥1,449.7448
参考库存:4793
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Silicon DMOS RF FET 400W-50V-175MHz SE
50:¥2,037.4917
参考库存:18288
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 Avionics/Bipolar Transistor
1:¥2,140.1522
5:¥2,077.2112
10:¥1,947.2047
25:¥1,900.8634
参考库存:18291
射频晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 500 Watt, 50 Volt, 3.1 - 3.5 GHz, GaN RF IMFET
18:¥4,072.52
参考库存:18294
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTORS
15,000:¥1.4464
45,000:¥1.4012
参考库存:18297
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