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射频晶体管
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1214-30

  • Microchip / Microsemi
  • 新批次
  • 射频(RF)双极晶体管 L-Band/Bipolar Radar Transistor
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数量单价合计
1
¥2,215.4554
2215.4554
2
¥2,162.1194
4324.2388
5
¥2,139.1465
10695.7325
10
¥2,108.4105
21084.105
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Microchip
产品种类
射频(RF)双极晶体管
RoHS
是
晶体管类型
Bipolar
技术
Si
晶体管极性
NPN
直流集电极/Base Gain hfe Min
20
集电极—发射极最大电压 VCEO
50 V
发射极 - 基极电压 VEBO
3.5 V
集电极连续电流
4 A
最大工作温度
+ 200 C
配置
Single
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
55AW-1
工作频率
1.2 GHz to 1.4 GHz
输出功率
30 W
商标
Microchip / Microsemi
最大直流电集电极电流
4 A
Pd-功率耗散
88 W
产品类型
RF Bipolar Transistors
工厂包装数量
1
子类别
Transistors
商品其它信息
优势价格，1214-30的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
MW6S010NR1
NXP / Freescale
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HV6 900MHZ 10W TO270-2N
1:¥159.7481
10:¥146.9226
25:¥140.3912
100:¥124.0966
500:¥107.1918
参考库存:4632
MMRF1310HR5
NXP / Freescale
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MMRF1310H/CFM4F///REEL 13
1:¥855.2292
5:¥838.5504
10:¥810.888
25:¥776.6264
50:¥765.9366
参考库存:4039
AGR18045EF
Advanced Semiconductor, Inc.
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 1.8-1.88GHz 49Watt Gain 15dB
1:¥571.5314
5:¥524.433
10:¥470.645
25:¥416.857
参考库存:17522
PTFB090901FA-V2-R0
Wolfspeed / Cree
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
50:¥329.3385
参考库存:17525
BFR 106 E6327
Infineon Technologies
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 NPN Silicon RF TRANSISTOR
1:¥2.9154
10:¥2.2374
100:¥1.2091
1,000:¥0.90626
3,000:¥0.78422
9,000:¥0.72998
参考库存:7647
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