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射频晶体管
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2N5643

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数量单价合计
1
¥576.30
576.3
10
¥480.25
4802.5
25
¥432.225
10805.625
50
¥384.20
19210
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Advanced Semiconductor, Inc.
产品种类
射频(RF)双极晶体管
RoHS
是
晶体管类型
Bipolar Power
技术
Si
晶体管极性
NPN
直流集电极/Base Gain hfe Min
5
集电极—发射极最大电压 VCEO
35 V
发射极 - 基极电压 VEBO
4 V
集电极连续电流
5 A
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 200 C
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
MT72
封装
Tray
工作频率
175 MHz
类型
RF Bipolar Power
商标
Advanced Semiconductor, Inc.
增益带宽产品fT
200 MHz
Pd-功率耗散
60 W
产品类型
RF Bipolar Transistors
子类别
Transistors
单位重量
3 g
商品其它信息
优势价格，2N5643的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
MT3S113P(TE12L,F)
Toshiba
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 RF Bipolar Transistor .1A 1.6W
1:¥7.6049
10:¥6.0681
100:¥4.6669
500:¥4.1132
1,000:¥3.2544
参考库存:16249
ARF460AG
Microchip / Microsemi
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS)
1:¥322.4229
2:¥313.6654
5:¥304.9757
10:¥296.2182
参考库存:2781
PTAC240502FC-V1-R250
Wolfspeed / Cree
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
250:¥512.6019
参考库存:16254
PTRA083818NF-V1-R5
Wolfspeed / Cree
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Power Amplifier
500:¥738.2064
参考库存:16257
MMBFJ309
ON Semiconductor / Fairchild
射频晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 NCh RF Transistor
1:¥3.2318
10:¥2.4747
100:¥1.3447
1,000:¥1.00683
3,000:¥0.86784
9,000:¥0.81473
参考库存:10520
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