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射频晶体管

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QPD1020SR

  • Qorvo
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  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 2.7-3.5GHz 30W Gain 18.4dB
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Qorvo
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
是
晶体管极性
N-Channel
技术
GaN SiC
Id-连续漏极电流
100 mA
Vds-漏源极击穿电压
50 V
增益
18.4 dB
输出功率
31 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 85 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
DFN-8
封装
Cut Tape
封装
Reel
工作频率
2.7 GHz to 3.5 GHz
类型
RF Small Signal MOSFET
商标
Qorvo
通道数量
1 Channel
湿度敏感性
Yes
Pd-功率耗散
30 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
100
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
- 2.8 V
商品其它信息
优势价格，QPD1020SR的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
PD85025-E
STMicroelectronics
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER R.F. N-Ch Trans
1:¥220.0675
5:¥217.8414
10:¥203.0158
25:¥193.8628
参考库存:18182
MRFE6VP61K25HR5
NXP / Freescale
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 1.25KW ISM NI1230H
1:¥1,330.9479
5:¥1,298.9011
10:¥1,266.7074
25:¥1,248.9551
50:¥1,248.9551
参考库存:4767
PTFB072707FH-V1-R250
Wolfspeed / Cree
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
250:¥914.396
参考库存:18187
BFU550XRVL
NXP Semiconductors
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 NPN wideband silicon RF transistor
1:¥2.9945
10:¥2.0792
100:¥0.95259
1,000:¥0.72998
10,000:¥0.56839
参考库存:18190
MRF24300NR3
NXP / Freescale
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MRF24300N/FM2F///REEL 13 Q2 DP
1:¥1,333.9424
5:¥1,304.133
10:¥1,277.465
25:¥1,258.6392
250:¥1,185.6412
参考库存:4705
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