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射频晶体管

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	Qorvo
产品种类	射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
RoHS	是
晶体管类型	HEMT
技术	GaN SiC
增益	21.8 dB
晶体管极性	N-Channel
Id-连续漏极电流	1.7 A
输出功率	178 W
最大漏极/栅极电压	65 V
最小工作温度	- 40 C
最大工作温度	+ 85 C
Pd-功率耗散	67 W
安装风格	SMD/SMT
封装 / 箱体	DFN-6
封装	Cut Tape
封装	MouseReel
封装	Reel
应用	Military Radar, Jammers,Test Instrumentation,Wideband or Narrowband Amplifiers,Land Mobile and Military Radio Communications
配置	Single Triple Drain
工作频率	1.2 GHz to 2.7 GHz
商标	Qorvo
开发套件	QPD1013EVB01
湿度敏感性	Yes
产品类型	RF JFET Transistors
工厂包装数量	100
子类别	Transistors

商品其它信息

优势价格，QPD1013SR的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。

推荐型号

型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
QPD2195SR	Qorvo	射频晶体管	PDF数据手册	射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 400 W, 48 V, 1.8-2.2 GHz GaN RF Power Transistor	100:¥1,349.8528	参考库存:15139
PTFC210202FC-V1-R250	Wolfspeed / Cree	射频晶体管	PDF数据手册	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET	250:¥371.6005	参考库存:15142
MRF1K50N-TF4	NXP / Freescale	射频晶体管	PDF数据手册	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MRF1K50N-TF4/HWONLY///BOARDS NO MARK	1:¥10,051.0562 5:¥9,943.096	参考库存:1646
MT3S113TU,LF	Toshiba	射频晶体管	PDF数据手册	射频(RF)双极晶体管 RF Bipolar Transistor .1A 900mW	1:¥5.6839 10:¥4.3618 100:¥2.8137 1,000:¥2.2487 3,000:¥1.9097	参考库存:15147
MRFE6VP6300HSR5	NXP / Freescale	射频晶体管	PDF数据手册	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 300W50VISM NI780S-4	50:¥733.9802 100:¥682.6443	参考库存:15150