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射频晶体管

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250	¥648.6878	162171.95

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相关型号

数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	Qorvo
产品种类	射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
RoHS	是
晶体管类型	HEMT
技术	GaN SiC
增益	20 dB
晶体管极性	N-Channel
Vds-漏源极击穿电压	-
Vgs-栅源极击穿电压	-
Id-连续漏极电流	-
输出功率	200 W
最大漏极/栅极电压	-
最小工作温度	- 40 C
最大工作温度	-
Pd-功率耗散	-
安装风格	SMD/SMT
封装 / 箱体	NI400-2
封装	Tray
应用	Microcell Base Station, W-CDMA / LTE
配置	Single
工作频率	2.5 GHz to 2.7 GHz
系列	QPD
商标	Qorvo
正向跨导 - 最小值	-
产品类型	RF JFET Transistors
工厂包装数量	250
子类别	Transistors
零件号别名	1130963

商品其它信息

优势价格，QPD2796的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。

推荐型号

型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
23A025	Microchip / Microsemi	射频晶体管	PDF数据手册	射频(RF)双极晶体管 Comm/Bipolar Transistor	50:¥1,002.988	参考库存:15894
TPR1000	Microchip / Microsemi	射频晶体管	PDF数据手册	射频(RF)双极晶体管 Bipolar/LDMOS Transistor	1:¥4,394.5587 5:¥4,118.7031	参考库存:15897
MRF1K50GNR5	NXP / Freescale	射频晶体管	PDF数据手册	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MRF1K50GN/FM4///REEL 13	1:¥1,334.9368 5:¥1,306.7433 10:¥1,278.5385 25:¥1,246.2657 50:¥1,213.9138	参考库存:2443
BFU730F,115	NXP Semiconductors	射频晶体管	PDF数据手册	射频(RF)双极晶体管 NPN WIDEBAND SILICON GERMANIUM RF TRANS	1:¥3.4578 10:¥2.825 100:¥1.7176 1,000:¥1.3334 3,000:¥1.1413	参考库存:4698
PD84006L-E	STMicroelectronics	射频晶体管	PDF数据手册	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF power trans LDmoST plastic	1:¥69.6984 10:¥63.0088 25:¥60.0934 100:¥52.1721 3,000:¥38.1149	参考库存:4520