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射频晶体管
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D1009UK

  • Semelab / TT Electronics
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Silicon DMOS RF FET 150W-28V-500MHz PP
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¥1,105.4225
55271.125
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
TT Electronics
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
20 A
Vds-漏源极击穿电压
70 V
增益
10 dB
输出功率
150 W
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
DR
配置
Dual
高度
5.08 mm
长度
34.03 mm
工作频率
500 MHz
类型
RF Power MOSFET
宽度
22.22 mm
商标
Semelab / TT Electronics
通道模式
Enhancement
Pd-功率耗散
389 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
10
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Vgs th-栅源极阈值电压
1 V to 7 V
商品其它信息
优势价格，D1009UK的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
2729-125
Microchip / Microsemi
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 S-Band/Bipolar Radar Transistor
20:¥2,489.9211
25:¥2,455.8064
参考库存:18095
AGR09045EF
Advanced Semiconductor, Inc.
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Transistor
1:¥507.144
10:¥422.62
25:¥380.358
50:¥338.096
参考库存:18098
BFU725F/N1,115
NXP Semiconductors
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 2.8V 0.04A 4-Pin Trans GP BJT NPN
1:¥3.6838
10:¥2.7685
100:¥1.5029
1,000:¥1.13
3,000:¥0.97632
参考库存:8969
D2254UK
Semelab / TT Electronics
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Silicon DMOS RF FET 10W-12.5V-1GHz PP
100:¥228.373
参考库存:18103
D2202UK
Semelab / TT Electronics
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Silicon DMOS RF FET 5W-12.5V-1GHz SE
50:¥401.263
100:¥390.189
参考库存:18106
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