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射频晶体管
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MHT2001NR1

  • NXP / Freescale
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MHT2001N/FM14F///REEL 13 Q2 DP
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数量单价合计
500
¥456.2036
228101.8
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
增益
33.8 dB
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-270WB-14
封装
Reel
工作频率
902 MHz to 928 MHz
系列
MHT2001N
类型
RF Power MOSFET
商标
NXP / Freescale
湿度敏感性
Yes
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
500
子类别
MOSFETs
零件号别名
935322319528
单位重量
1.652 g
商品其它信息
优势价格,MHT2001NR1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 Avionics/Bipolar Transistor
1:¥2,284.6792
5:¥2,217.5233
10:¥2,078.748
25:¥2,029.2653
参考库存:17192
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTOR
1:¥3.1527
10:¥2.2713
100:¥1.03734
1,000:¥0.79891
3,000:¥0.68365
参考库存:6564
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 150W 2700-3100MHz
1:¥1,566.5416
5:¥1,531.5794
10:¥1,500.2219
25:¥1,478.0965
50:¥1,424.3876
参考库存:3728
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 5-175MHz 300Watts 28Volt Gain 12dB
1:¥1,207.3824
10:¥1,180.3415
参考库存:3720
射频晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-25GHz 5Watt NF 1.3dB GaN
50:¥182.3368
100:¥161.138
250:¥149.838
500:¥139.3855
参考库存:17201
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