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射频晶体管
BFS 17P E6327参考图片

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BFS 17P E6327

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • 射频(RF)双极晶体管 NPN Silicon RF TRANSISTOR
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数量单价合计
1
¥3.1527
3.1527
10
¥2.0792
20.792
100
¥0.89157
89.157
1,000
¥0.68365
683.65
3,000
¥0.52206
1566.18
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
射频(RF)双极晶体管
RoHS
系列
BFS17
技术
Si
晶体管极性
NPN
直流集电极/Base Gain hfe Min
20
集电极—发射极最大电压 VCEO
15 V
发射极 - 基极电压 VEBO
2.5 V
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
配置
Single
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-23
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
集电极—基极电压 VCBO
25 V
高度
1 mm
长度
2.9 mm
宽度
1.3 mm
商标
Infineon Technologies
增益带宽产品fT
2.5 MHz
最大直流电集电极电流
0.025 A
Pd-功率耗散
280 mW
产品类型
RF Bipolar Transistors
工厂包装数量
3000
子类别
Transistors
零件号别名
BFS17PE6327HTSA1 BFS17PE6327XT SP000011073
单位重量
8 mg
商品其它信息
优势价格,BFS 17P E6327的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Silicon DMOS RF FET 125W-28V-500MHz PP
1:¥1,536.6418
10:¥1,353.9208
25:¥1,229.3609
50:¥1,079.828
参考库存:16139
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暂无价格
参考库存:16142
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 Bipolar/LDMOS Transistor
1:¥2,586.7395
2:¥2,524.5782
5:¥2,497.6842
10:¥2,461.8745
参考库存:16145
射频晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT 5.5-5.8GHz, 15 Watt
1:¥522.6702
10:¥494.4654
25:¥480.4082
50:¥473.3344
参考库存:2706
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 A2T27S007N/HVSON16///REEL 7 Q1 DP
1,000:¥46.33
2,000:¥44.6463
参考库存:16150
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