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射频晶体管
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QPD1025

  • Qorvo
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 1-1.1GHz 1800 Watt Gain 22.5dB 65V GaN
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参数信息
参数参数值
制造商
Qorvo
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
是
晶体管极性
Dual N-Channel
技术
GaN SiC
Id-连续漏极电流
28 A
Vds-漏源极击穿电压
65 V
增益
22.5 dB
输出功率
1.862 kW
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 85 C
封装 / 箱体
NI-1230-4
封装
Tray
工作频率
1 GHz to 1.1 GHz
系列
QPD
类型
RF Power MOSFET
商标
Qorvo
通道数量
2 Channel
湿度敏感性
Yes
Pd-功率耗散
685 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
18
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
- 2.8 V
商品其它信息
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
MMRF1024HSR5
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MMRF1024HS/CFM6F///REEL 13
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1:¥34.578
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SD56120
STMicroelectronics
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 N-Ch 65 Volt 14 Amp
1:¥1,229.9824
5:¥1,200.399
10:¥1,170.5783
25:¥1,154.2159
参考库存:4622
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