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射频晶体管
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PD55003-E

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF POWER TRANS
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数量单价合计
1
¥96.5133
96.5133
10
¥88.7502
887.502
25
¥85.0664
2126.66
100
¥74.919
7491.9
250
¥71.2352
17808.8
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
是
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
2.5 A
Vds-漏源极击穿电压
40 V
增益
17 dB
输出功率
3 W
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerSO-10RF-Formed-4
封装
Tube
配置
Single
高度
3.5 mm
长度
7.5 mm
工作频率
1 GHz
系列
PD55003-E
类型
RF Power MOSFET
宽度
9.4 mm
商标
STMicroelectronics
正向跨导 - 最小值
1 S
通道模式
Enhancement
湿度敏感性
Yes
Pd-功率耗散
31.7 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
400
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
单位重量
3 g
商品其它信息
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
TGF2023-2-05
Qorvo
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1:¥159.7481
10:¥146.9226
25:¥140.3912
100:¥124.0966
500:¥107.1918
参考库存:4632
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1:¥855.2292
5:¥838.5504
10:¥810.888
25:¥776.6264
50:¥765.9366
参考库存:4039
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1:¥571.5314
5:¥524.433
10:¥470.645
25:¥416.857
参考库存:17522
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