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射频晶体管
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TGF2929-FL

  • Qorvo
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  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 DC-3.5GHz 100W 28V GaN
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数量单价合计
1
¥2,881.50
2881.5
25
¥2,600.5707
65014.2675
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Qorvo
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
晶体管极性
N-Channel
技术
GaN SiC
Id-连续漏极电流
12 A
Vds-漏源极击穿电压
28 V
增益
14 dB
输出功率
107 W
封装
Tray
工作频率
3.5 GHz
类型
RF Power MOSFET
商标
Qorvo
湿度敏感性
Yes
Pd-功率耗散
144 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
25
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
145 V
Vgs th-栅源极阈值电压
- 2.9 V
零件号别名
1123811
商品其它信息
优势价格,TGF2929-FL的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 865-960MHz 105Watt Gain 17.8dB
1:¥751.111
5:¥689.2548
10:¥618.562
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1:¥167.6694
10:¥162.9008
100:¥149.9962
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1:¥34.578
10:¥28.8941
25:¥25.9674
50:¥23.052
参考库存:2109
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