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射频晶体管
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SD1407

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库存:2,006(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥530.196
530.196
10
¥441.83
4418.3
25
¥397.647
9941.175
50
¥353.464
17673.2
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Advanced Semiconductor, Inc.
产品种类
射频(RF)双极晶体管
RoHS
晶体管类型
Bipolar Power
技术
Si
晶体管极性
NPN
直流集电极/Base Gain hfe Min
10
集电极—发射极最大电压 VCEO
35 V
发射极 - 基极电压 VEBO
4 V
集电极连续电流
20 A
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 200 C
安装风格
Screw Mount
封装 / 箱体
SOT-123
封装
Tray
工作频率
30 MHz
类型
RF Bipolar Power
商标
Advanced Semiconductor, Inc.
Pd-功率耗散
270 W
产品类型
RF Bipolar Transistors
子类别
Transistors
商品其它信息
优势价格,SD1407的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
射频晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 NCh RF Transistor
1:¥3.6838
10:¥2.6103
100:¥1.1978
1,000:¥0.92208
2,000:¥0.78422
参考库存:9649
射频晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT 7.9-9.6GHz, 50 Watt
暂无价格
参考库存:14789
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF PWR Trans LdmoST N-Ch 28V 1GHz ESD
1:¥386.7312
5:¥378.0528
10:¥363.295
25:¥351.543
参考库存:14792
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MMRF1314H/CFM4F///REEL 13
50:¥3,771.8496
参考库存:14795
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTOR
1:¥3.842
10:¥2.8702
100:¥1.5594
1,000:¥1.1639
3,000:¥1.00683
9,000:¥0.94468
参考库存:3350
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