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射频晶体管
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SD56120

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 N-Ch 65 Volt 14 Amp
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数量单价合计
1
¥1,229.9824
1229.9824
5
¥1,200.399
6001.995
10
¥1,170.5783
11705.783
25
¥1,154.2159
28855.3975
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
是
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
14 A
Vds-漏源极击穿电压
65 V
增益
14 dB
输出功率
100 W
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
M246
封装
Tube
配置
Dual
高度
5.08 mm
长度
29.08 mm
工作频率
1 GHz
系列
SD56120
类型
RF Power MOSFET
宽度
5.97 mm
商标
STMicroelectronics
正向跨导 - 最小值
3 S
通道模式
Enhancement
Pd-功率耗散
217 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
60
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
商品其它信息
优势价格，SD56120的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
VRF3933
Microchip / Microsemi
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS)
1:¥891.344
2:¥863.6816
5:¥863.3765
10:¥835.5559
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MMRF1015NR1
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MMRF1015N/FM2F///REEL 13 Q2 DP
1:¥157.9062
5:¥150.9906
10:¥145.6909
25:¥127.0911
500:¥109.6552
参考库存:3356
A2V09H525-04NR6
NXP / Freescale
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 A2V09H525-04N/FM4F///REEL 13 Q2 DP
1:¥1,154.6792
5:¥1,128.9378
10:¥1,105.8067
25:¥1,089.5121
150:¥1,026.3564
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TPS92613EVM
Texas Instruments
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LED 照明开发工具 TPS92613EVM
1:¥1,185.3361
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SD3933
STMicroelectronics
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER R.F.
1:¥1,081.6021
5:¥1,060.392
10:¥1,010.9884
25:¥989.6992
参考库存:16435
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