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射频晶体管
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SD56120

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 N-Ch 65 Volt 14 Amp
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1
¥1,229.9824
1229.9824
5
¥1,200.399
6001.995
10
¥1,170.5783
11705.783
25
¥1,154.2159
28855.3975
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
是
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
14 A
Vds-漏源极击穿电压
65 V
增益
14 dB
输出功率
100 W
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
M246
封装
Tube
配置
Dual
高度
5.08 mm
长度
29.08 mm
工作频率
1 GHz
系列
SD56120
类型
RF Power MOSFET
宽度
5.97 mm
商标
STMicroelectronics
正向跨导 - 最小值
3 S
通道模式
Enhancement
Pd-功率耗散
217 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
60
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
商品其它信息
优势价格，SD56120的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
3135GN-100M
Microchip / Microsemi
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射频(RF)双极晶体管 S-Band/GaN Transistor
5:¥3,262.4004
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1:¥351.8481
2:¥342.2431
5:¥332.7963
10:¥323.2704
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STAC1214-250
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10:¥162.1324
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50:¥130.9331
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CGHV60075D5
Wolfspeed / Cree
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暂无价格
参考库存:16611
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