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射频晶体管
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PTVA030121EA-V1-R0

  • Wolfspeed / Cree
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
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数量单价合计
50
¥468.0347
23401.735
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Cree, Inc.
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
技术
Si
Vds-漏源极击穿电压
105 V
Rds On-漏源导通电阻
2.8 Ohms
增益
25 dB
输出功率
12 W
最大工作温度
+ 225 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
H-36265-2
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
工作频率
390 MHz to 450 MHz
类型
RF Power MOSFET
商标
Wolfspeed / Cree
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
商品其它信息
优势价格,PTVA030121EA-V1-R0的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 HIGH FREQUENCY AMPLIFIER
1:¥2.9945
10:¥2.4973
100:¥1.5255
1,000:¥1.1865
3,000:¥1.00683
参考库存:11813
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HV8 700MHZ OM780-2
250:¥723.7537
参考库存:16927
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 RF Transistor
1:¥1,224.6714
10:¥1,123.785
25:¥1,008.525
50:¥893.265
参考库存:3438
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 300W 20dB 30MHz STAC N-Ch MOS RF 150MHz
1:¥799.136
5:¥784.3782
10:¥749.1109
25:¥724.1379
参考库存:3481
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 A2T20H160W04N/FM4F///REEL 13 Q2 DP
1:¥658.903
5:¥646.0662
10:¥624.7883
25:¥598.3576
250:¥536.5014
参考库存:16934
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