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射频晶体管
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A2G22S190-01SR3

  • NXP Semiconductors
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 A2G22S190-01S/CFM2F///REEL 13 Q1 NDP
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数量单价合计
250
¥726.8273
181706.825
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
是
晶体管极性
N-Channel
技术
GaN Si
Id-连续漏极电流
19 mA
Vds-漏源极击穿电压
150 V
增益
16.5 dB
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
NI-400S-2
封装
Reel
工作频率
1800 MHz to 2200 MHz
系列
A2G22S190
类型
RF Power MOSFET
商标
NXP Semiconductors
通道数量
1 Channel
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
250
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
- 8 V
Vgs th-栅源极阈值电压
- 2.3 V
零件号别名
935372783118
商品其它信息
优势价格，A2G22S190-01SR3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
FH2164
MACOM
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
1:¥654.0666
5:¥588.6735
参考库存:1422
PD84002
STMicroelectronics
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF PWR transistor LdmoST plastic fam
1:¥32.8152
10:¥27.8884
100:¥24.1255
250:¥22.8938
2,500:¥16.5206
参考库存:3585
MRF6V12250HSR5
NXP / Freescale
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 250W 50V NI780HS
1:¥1,926.6839
5:¥1,883.7326
10:¥1,845.1544
25:¥1,817.9553
50:¥1,751.952
参考库存:14895
MMRF2010NR1
NXP / Freescale
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MMRF2010N/FM14F///REEL 13 Q2 DP
500:¥1,983.0144
参考库存:14898
TGF2942
Qorvo
射频晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-25GHz 2Watt NF 1.2dB GaN
50:¥121.7123
100:¥107.576
250:¥100.0502
500:¥93.0555
参考库存:1500
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