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晶体管
IKD04N60RFATMA1参考图片

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IKD04N60RFATMA1

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 IGBT w/ INTG DIODE 600V 8A
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库存:5,641(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥9.1417
9.1417
10
¥7.8422
78.422
100
¥5.9664
596.64
500
¥5.2771
2638.55
1,000
¥4.1697
4169.7
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-252-3
安装风格
SMD/SMT
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
2.2 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
8 A
Pd-功率耗散
75 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
RC
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
2.41 mm
长度
6.73 mm
宽度
6.22 mm
商标
Infineon Technologies
栅极—射极漏泄电流
100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
2500
子类别
IGBTs
商标名
TRENCHSTOP
零件号别名
IKD04N60RF SP000942932
商品其它信息
优势价格,IKD04N60RFATMA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET Dual N Ch 12V Vds AEC-Q101 Qualified
1:¥10.4525
10:¥8.6106
100:¥6.5653
500:¥5.65
1,000:¥4.4635
3,000:¥4.4635
参考库存:6101
晶体管
MOSFET AFSM T6 60V LL U8FL WF
1:¥8.6106
10:¥7.3563
100:¥5.65
500:¥4.9833
1,500:¥3.4917
9,000:查看
参考库存:2773
晶体管
MOSFET 60V Vds PowerPAK AEC-Q101 Qualified
1:¥22.1254
10:¥18.4416
100:¥14.2945
500:¥12.5204
1,000:¥10.3734
2,000:¥10.3734
参考库存:4599
晶体管
MOSFET -30V Vds 16V Vgs PowerPAK 1212-8
1:¥7.2207
10:¥5.7969
100:¥4.3957
500:¥3.6386
1,000:¥2.9154
3,000:¥2.6329
参考库存:35997
晶体管
MOSFET 80V Vds 46A Id AEC-Q101 Qualified
1:¥7.684
10:¥6.3732
100:¥4.8816
500:¥4.2036
1,000:¥3.3109
3,000:¥3.1527
参考库存:33007
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