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晶体管
IKD04N60RFATMA1参考图片

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IKD04N60RFATMA1

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 IGBT w/ INTG DIODE 600V 8A
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数量单价合计
1
¥9.1417
9.1417
10
¥7.8422
78.422
100
¥5.9664
596.64
500
¥5.2771
2638.55
1,000
¥4.1697
4169.7
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-252-3
安装风格
SMD/SMT
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
2.2 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
8 A
Pd-功率耗散
75 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
RC
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
2.41 mm
长度
6.73 mm
宽度
6.22 mm
商标
Infineon Technologies
栅极—射极漏泄电流
100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
2500
子类别
IGBTs
商标名
TRENCHSTOP
零件号别名
IKD04N60RF SP000942932
商品其它信息
优势价格,IKD04N60RFATMA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) TRANS MED PWR TAPE-7
1:¥3.0736
10:¥2.1809
100:¥1.00683
1,000:¥0.7684
2,000:¥0.66105
参考库存:11736
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) BIP NPN 8A 80V TR
1:¥5.8421
10:¥4.8477
100:¥3.1301
1,000:¥2.5086
1,800:¥2.1131
参考库存:5130
晶体管
MOSFET N-Ch 75V 30A DPAK-2 OptiMOS
1:¥9.4468
10:¥8.0682
100:¥6.2037
500:¥5.4918
2,500:¥3.842
10,000:查看
参考库存:6740
晶体管
MOSFET 20V N-channel Trench MOSFET
1:¥2.9154
10:¥1.8645
100:¥0.79891
1,000:¥0.61472
10,000:¥0.41471
20,000:查看
参考库存:15167
晶体管
MOSFET N-CH 60V HEXFET MOSFET
1:¥13.2888
10:¥10.9158
100:¥8.3733
参考库存:6355
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