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晶体管
IKD04N60RFATMA1参考图片

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IKD04N60RFATMA1

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 IGBT w/ INTG DIODE 600V 8A
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库存：5,641(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥9.1417
9.1417
10
¥7.8422
78.422
100
¥5.9664
596.64
500
¥5.2771
2638.55
1,000
¥4.1697
4169.7
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
是
技术
Si
封装 / 箱体
TO-252-3
安装风格
SMD/SMT
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
2.2 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
8 A
Pd-功率耗散
75 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
RC
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
2.41 mm
长度
6.73 mm
宽度
6.22 mm
商标
Infineon Technologies
栅极—射极漏泄电流
100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
2500
子类别
IGBTs
商标名
TRENCHSTOP
零件号别名
IKD04N60RF SP000942932
商品其它信息
优势价格，IKD04N60RFATMA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
FDS3572
ON Semiconductor / Fairchild
晶体管
MOSFET 80V N-Channel PowerTrench
1:¥11.30
10:¥9.605
100:¥7.3563
500:¥6.4975
1,000:¥5.1302
2,500:¥5.1302
参考库存:5847
2N5192G
ON Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 4A 80V 40W NPN
1:¥5.1528
10:¥4.2149
100:¥2.7233
1,000:¥2.1809
参考库存:11862
T2G4003532-FS
Qorvo
晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-3.5GHz 35 Watt 32 Volt GaN
1:¥1,386.8038
25:¥1,251.5654
参考库存:3883
2N5249
Central Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) JFET N-Ch
1:¥4.7686
10:¥4.068
100:¥2.5312
1,000:¥1.921
2,500:¥1.695
参考库存:11278
TN2130K1-G
Microchip Technology
晶体管
MOSFET 300V 25Ohm
1:¥4.9155
10:¥4.8364
25:¥4.1132
100:¥3.7177
3,000:¥2.3617
9,000:查看
参考库存:12413
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