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晶体管
DPLS325E-13参考图片

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DPLS325E-13

  • Diodes Incorporated
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP 1W
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库存:5,235(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥4.3053
4.3053
10
¥3.5708
35.708
100
¥2.3052
230.52
1,000
¥1.8419
1841.9
2,500
¥1.8419
4604.75
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-223-4
晶体管极性
PNP
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
25 V
集电极—基极电压 VCBO
25 V
发射极 - 基极电压 VEBO
5 V
最大直流电集电极电流
3 A
增益带宽产品fT
100 MHz
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
DPLS325
直流电流增益 hFE 最大值
300 at 10 mA, 2 V
高度
1.6 mm
长度
6.5 mm
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
宽度
3.5 mm
商标
Diodes Incorporated
直流集电极/Base Gain hfe Min
300
Pd-功率耗散
1000 mW
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
2500
子类别
Transistors
单位重量
112 mg
商品其它信息
优势价格,DPLS325E-13的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 DIGI -200MA/-30V
1:¥3.6838
10:¥2.5764
100:¥1.1865
1,000:¥0.91417
8,000:¥0.70738
24,000:查看
参考库存:41031
晶体管
IGBT 模块 Power Module - IGBT
100:¥369.3744
250:¥361.6113
参考库存:41034
晶体管
IGBT 晶体管 POWER TRS IGBT
1:¥45.4938
10:¥40.567
25:¥36.499
50:¥34.8831
参考库存:41037
晶体管
MOSFET N-Ch 30 Volt 90 Amp
1:¥8.8366
10:¥7.6049
100:¥5.8308
500:¥5.1528
参考库存:41040
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 TRANS W/ BLT-IN RES GL WNG 2.9x2.8mm
3,000:¥0.47686
9,000:¥0.42262
24,000:¥0.40002
45,000:¥0.34578
参考库存:41043
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