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晶体管
ZTX796A参考图片

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ZTX796A

  • Diodes Incorporated
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 200V VCEO PNP 250 GAIN IC 0.3A
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数量单价合计
1
¥7.7631
7.7631
10
¥6.6557
66.557
100
¥5.1076
510.76
500
¥4.52
2260
1,000
¥3.5708
3570.8
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-92-3
晶体管极性
PNP
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
- 200 V
集电极—基极电压 VCBO
- 200 V
发射极 - 基极电压 VEBO
- 5 V
集电极—射极饱和电压
- 0.3 V
最大直流电集电极电流
0.5 A
增益带宽产品fT
100 MHz
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
高度
4.01 mm
长度
4.77 mm
封装
Bulk
宽度
2.41 mm
商标
Diodes Incorporated
集电极连续电流
- 0.5 A
Pd-功率耗散
1000 mW
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
4000
子类别
Transistors
单位重量
453.600 mg
商品其它信息
优势价格,ZTX796A的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 40V 50A 83W AEC-Q101 Qualified
1:¥22.6678
10:¥18.8258
100:¥14.5996
500:¥12.7577
2,000:¥9.831
10,000:查看
参考库存:9743
晶体管
MOSFET AUTO 55V 1 N-CH HEXFET 40mOhms
1:¥12.1362
10:¥10.3734
100:¥7.9891
500:¥7.0173
1,000:¥5.537
参考库存:4420
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Power BJT
1:¥193.5577
5:¥184.8793
10:¥179.1163
25:¥164.5958
参考库存:4412
晶体管
MOSFET G3 SiC MOSFET 900V, 65mOhm
1:¥79.2243
100:¥76.3767
500:¥72.6138
800:¥72.6138
参考库存:34965
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP Epitaxial Silicon Transistor
1:¥4.7686
10:¥3.9663
100:¥2.5538
1,000:¥2.0453
参考库存:9260
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