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晶体管
SQJ202EP-T1_GE3参考图片

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SQJ202EP-T1_GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET Dual N Ch 12V Vds AEC-Q101 Qualified
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库存:6,101(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥10.4525
10.4525
10
¥8.6106
86.106
100
¥6.5653
656.53
500
¥5.65
2825
1,000
¥4.4635
4463.5
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerPAK-SO-8L-4
通道数量
2 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
12 V
Id-连续漏极电流
20 A, 60 A
Rds On-漏源导通电阻
5.2 mOhms, 2.5 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
22 nC, 54 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
27 W, 48 W
配置
Dual
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
商标名
TrenchFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
SQ
晶体管类型
2 N-Channel
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
49 S, 91 S
下降时间
2.6 ns, 5 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
3.2 ns, 4.5 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
20 ns, 28 ns
典型接通延迟时间
8.8 ns, 10.7 ns
单位重量
506.600 mg
商品其它信息
优势价格,SQJ202EP-T1_GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
IGBT 模块 IGBT 1200V 10A
1:¥263.403
5:¥260.6458
10:¥242.9726
25:¥232.0568
参考库存:2874
晶体管
MOSFET 600V NChannel MOSFET SupreMOS
1:¥47.2566
10:¥42.7253
25:¥40.7252
100:¥35.3464
参考库存:3861
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) BIPOLAR PNP
1:¥4.068
10:¥3.3335
100:¥2.034
1,000:¥1.5707
2,500:¥1.3334
参考库存:6197
晶体管
IGBT 晶体管 Insulated Gate Bipolar Transistor - Power MOS 8
1:¥127.3284
10:¥115.7233
25:¥107.0336
50:¥101.2028
参考库存:2859
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 BRT PNP 2-in-1 Ic -100mA -50V VCEO
1:¥3.2318
10:¥1.7741
100:¥0.76049
1,000:¥0.58421
3,000:¥0.44522
参考库存:4847
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