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晶体管
ZTX851STZ参考图片

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ZTX851STZ

  • Diodes Incorporated
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Big Chip SELine
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数量单价合计
1
¥7.7631
7.7631
10
¥6.667
66.67
100
¥5.1302
513.02
500
¥4.5313
2265.65
1,000
¥3.5708
3570.8
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-92-3
晶体管极性
NPN
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
60 V
集电极—基极电压 VCBO
150 V
发射极 - 基极电压 VEBO
6 V
集电极—射极饱和电压
250 mV
最大直流电集电极电流
5 A
增益带宽产品fT
130 MHz
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
ZTX851
直流电流增益 hFE 最大值
120
高度
4.01 mm
长度
4.77 mm
封装
Ammo Pack
宽度
2.41 mm
商标
Diodes Incorporated
集电极连续电流
5 A
直流集电极/Base Gain hfe Min
75
Pd-功率耗散
1.2 W
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
2000
子类别
Transistors
单位重量
453.600 mg
商品其它信息
优势价格,ZTX851STZ的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 50V 200mW NPN/PNP resistor-equip trans
1:¥3.0736
10:¥2.0566
100:¥0.86106
1,000:¥0.58421
8,000:¥0.39211
24,000:查看
参考库存:12049
晶体管
MOSFET LowON Res MOSFET ID=0.1A VDSS=20V
1:¥1.7628
10:¥1.1413
100:¥0.47686
1,000:¥0.32996
8,000:¥0.2147
24,000:查看
参考库存:24664
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 COMPLEMENTARY DIGITAL TRA
1:¥3.1527
10:¥2.2035
100:¥1.01474
1,000:¥0.77631
3,000:¥0.66105
参考库存:106054
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 Bias Resistor Built-in transistor
1:¥2.2261
10:¥1.4238
100:¥0.5989
1,000:¥0.4068
4,000:¥0.30736
参考库存:24669
晶体管
MOSFET N-CH Enhancmnt Mode MOSFET
1:¥11.526
10:¥10.5994
25:¥8.8366
100:¥8.0682
250:¥7.4693
2,000:¥7.4693
参考库存:24672
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