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晶体管

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FS35R12W1T4

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库存:4,619(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥294.3763
294.3763
5
¥287.8449
1439.2245
10
¥274.703
2747.03
25
¥263.177
6579.425
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 模块
RoHS
产品
IGBT Silicon Modules
配置
Hex
集电极—发射极最大电压 VCEO
1200 V
在25 C的连续集电极电流
65 A
封装 / 箱体
EASY1B
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
封装
Tray
高度
12 mm
长度
62.8 mm
宽度
33.8 mm
商标
Infineon Technologies
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
24
子类别
IGBTs
零件号别名
FS35R12W1T4BOMA1 SP000261235
单位重量
24 g
商品其它信息
优势价格,FS35R12W1T4的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET PFET TSOP6 30V 4.7A 60MOH
1:¥6.5314
10:¥5.6274
100:¥4.3279
500:¥3.8307
3,000:¥2.6781
9,000:查看
参考库存:5520
晶体管
MOSFET DIFFERENTIATED MOSFETS
1:¥7.1416
10:¥6.1359
100:¥4.7121
500:¥4.1697
5,000:¥2.9154
10,000:查看
参考库存:6883
晶体管
MOSFET MOSFT 100V 63A 14mOhm 34nC Log Lvl
1:¥12.7577
10:¥10.8367
100:¥8.6784
500:¥7.6049
1,000:¥6.3054
3,000:¥6.3054
参考库存:7435
晶体管
MOSFET SupreMOS 13A
1:¥24.3628
10:¥20.6677
100:¥17.8992
250:¥16.9839
参考库存:3455
晶体管
MOSFET MOSFT 17A 22.7nC 100mOhm LogLvAB
1:¥7.5258
10:¥6.4523
100:¥4.9607
500:¥4.3844
1,000:¥3.4578
参考库存:7700
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