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晶体管
STGYA120M65DF2参考图片

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STGYA120M65DF2

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 PTD HIGH VOLTAGE
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库存:4,664(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥80.6029
80.6029
10
¥74.1506
741.506
25
¥71.077
1776.925
100
¥62.6246
6262.46
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
Max247-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
650 V
集电极—射极饱和电压
1.65 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
160 A
Pd-功率耗散
625 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
STGYA120M65DF2
集电极最大连续电流 Ic
160 A
商标
STMicroelectronics
栅极—射极漏泄电流
+/- 250 uA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
600
子类别
IGBTs
商品其它信息
优势价格,STGYA120M65DF2的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
达林顿晶体管 PNP Transistor Darlington
1:¥3.0736
10:¥2.3504
100:¥1.2769
1,000:¥0.9605
4,000:¥0.82264
参考库存:3521
晶体管
MOSFET N-Ch 200V 34A TO220-3 OptiMOS 3
1:¥20.8259
10:¥17.6732
100:¥15.368
250:¥14.5205
参考库存:4359
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Super E-Line
1:¥6.5314
10:¥5.4805
100:¥3.5369
1,000:¥2.825
参考库存:9352
晶体管
MOSFET N-Ch 80V 120A D2PAK-2
1:¥21.357
10:¥18.1365
100:¥15.7522
250:¥14.9047
1,000:¥11.30
2,000:查看
参考库存:3538
晶体管
MOSFET Dual N-channel 100 V 89 mo FET
1:¥6.9947
10:¥5.7969
100:¥3.7403
1,000:¥2.9945
1,500:¥2.9945
参考库存:6255
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