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晶体管
STGYA120M65DF2参考图片

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STGYA120M65DF2

  • STMicroelectronics
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  • IGBT 晶体管 PTD HIGH VOLTAGE
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数量单价合计
1
¥80.6029
80.6029
10
¥74.1506
741.506
25
¥71.077
1776.925
100
¥62.6246
6262.46
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
Max247-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
650 V
集电极—射极饱和电压
1.65 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
160 A
Pd-功率耗散
625 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
STGYA120M65DF2
集电极最大连续电流 Ic
160 A
商标
STMicroelectronics
栅极—射极漏泄电流
+/- 250 uA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
600
子类别
IGBTs
商品其它信息
优势价格,STGYA120M65DF2的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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1,000:¥0.23843
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1:¥65.314
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9,000:查看
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1:¥2.0001
10:¥1.3673
100:¥0.56839
1,000:¥0.3842
3,000:¥0.29945
参考库存:4060
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