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晶体管
AFV10700H-1090参考图片

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AFV10700H-1090

  • NXP Semiconductors
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 AFV10700H-1090/HWONLY///BOARDS NO MARK
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1
¥7,538.23
7538.23
5
¥7,457.2429
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10
¥7,377.1033
73771.033
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
晶体管极性
Dual N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
2.6 A
Vds-漏源极击穿电压
- 500 mV, 105 V
增益
19.2 dB
输出功率
700 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
NI-780H-4L
工作频率
1030 MHz to 1090 MHz
类型
RF Power MOSFET
商标
NXP Semiconductors
通道数量
2 Channel
Pd-功率耗散
526 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
1
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
- 6 V, 10 V
Vgs th-栅源极阈值电压
1.3 V
零件号别名
935358817598
商品其它信息
优势价格，AFV10700H-1090的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
SIA923EDJ-T4-GE3
Vishay / Siliconix
晶体管
MOSFET -20V Vds 8V Vgs PowerPAK SC-70
1:¥4.9946
10:¥3.9776
100:¥3.0171
500:¥2.486
3,000:¥1.808
6,000:查看
参考库存:7117
TK20P04M1,RQ(S
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2,500:¥7.0964
5,000:查看
参考库存:6475
DMTH4014LPDQ-13
Diodes Incorporated
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MOSFET MOSFET BVDSS: 31V-40V
1:¥7.2207
10:¥6.1585
100:¥4.7347
500:¥4.181
1,000:¥3.2996
2,500:¥3.2996
参考库存:6627
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