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晶体管
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IPB65R190CFDA

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库存:4,595(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥27.9675
27.9675
10
¥23.8204
238.204
100
¥20.5886
2058.86
250
¥19.5151
4878.775
1,000
¥14.7578
14757.8
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-263-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
650 V
Id-连续漏极电流
17.5 A
Rds On-漏源导通电阻
171 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
3.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
68 nC
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
151 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
CoolMOS
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
4.4 mm
长度
10 mm
系列
CoolMOS CFDA
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
9.25 mm
商标
Infineon Technologies
下降时间
6.4 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
8.4 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
53.2 ns
典型接通延迟时间
12 ns
零件号别名
IPB65R190CFDAATMA1 IPB65R19CFDAXT SP000928264
单位重量
2.200 g
商品其它信息
优势价格,IPB65R190CFDA的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET Nch 600V 9A Si MOSFET
1:¥12.3735
10:¥10.5316
100:¥8.4524
500:¥7.4015
1,000:¥6.1359
参考库存:3977
晶体管
MOSFET P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
1:¥3.2996
10:¥2.7798
100:¥1.695
1,000:¥1.3108
3,000:¥1.11418
参考库存:244669
晶体管
MOSFET 600V 0.2A 11.5Ohm N-Channel
1:¥4.6104
10:¥3.8533
100:¥2.486
1,000:¥1.9888
4,000:¥1.6724
参考库存:28744
晶体管
MOSFET N-Ch 500V 0.13 Ohm 22A MDmesh II FET
1:¥43.7197
10:¥37.1092
100:¥32.1937
250:¥30.51
参考库存:4458
晶体管
MOSFET 250V 3.3A
1:¥9.5259
10:¥9.379
25:¥7.9891
100:¥7.2772
2,000:¥7.2772
参考库存:11378
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