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晶体管
DXTN3C100PSQ-13参考图片

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DXTN3C100PSQ-13

  • Diodes Incorporated
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 100V NPN Medium Pwr Low Sat Transistor
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数量单价合计
1
¥4.6895
4.6895
10
¥3.8872
38.872
100
¥2.373
237.3
1,000
¥1.8419
1841.9
2,500
¥1.5594
3898.5
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerDI5060-8
晶体管极性
NPN
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
100 V
集电极—基极电压 VCBO
100 V
发射极 - 基极电压 VEBO
7 V
集电极—射极饱和电压
225 mV
最大直流电集电极电流
3 A
增益带宽产品fT
140 MHz
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
商标
Diodes Incorporated
集电极连续电流
3 A
直流集电极/Base Gain hfe Min
10
湿度敏感性
Yes
Pd-功率耗散
5 W
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
资格
AEC-Q101
工厂包装数量
2500
子类别
Transistors
单位重量
97 mg
商品其它信息
优势价格，DXTN3C100PSQ-13的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
CMPFJ175 TR
Central Semiconductor
晶体管
JFET 30Vgd P-Ch JFET Engineering Hold
6,000:¥1.6837
12,000:¥1.6159
24,000:¥1.5594
48,000:¥1.5368
参考库存:30932
NTMFD4952NFT1G
ON Semiconductor
晶体管
MOSFET NFET SO8FL 30V 10.8A 7MO
1,500:¥10.2152
4,500:¥9.831
9,000:¥9.2999
参考库存:30935
SIHF22N65E-GE3
Vishay / Siliconix
晶体管
MOSFET 650V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK
1:¥37.8098
10:¥31.3462
100:¥25.8205
250:¥24.973
参考库存:30938
PXAD184218FV-V1-R0
Wolfspeed / Cree
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
50:¥1,159.2105
参考库存:30941
APTGLQ30H65T3G
Microsemi
晶体管
IGBT 模块
100:¥337.3276
250:¥330.2538
参考库存:30944
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