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晶体管
TK20A60U(STA4,Q,M)参考图片

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TK20A60U(STA4,Q,M)

  • Toshiba
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch FET 600V 12s IDSS 100 uA
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Toshiba
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220FP-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
20 A
Rds On-漏源导通电阻
190 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
5 V
Qg-栅极电荷
27 nC
Pd-功率耗散
45 W
配置
Single
商标名
DTMOSIV
高度
15 mm
长度
10 mm
产品
DTMOS
系列
TK20A60U
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
4.5 mm
商标
Toshiba
下降时间
12 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
40 ns
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
100 ns
典型接通延迟时间
80 ns
商品其它信息
优势价格，TK20A60U(STA4,Q,M)的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
IPP80R1K2P7XKSA1
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET
1:¥10.0683
10:¥8.6106
100:¥6.6105
500:¥5.8421
1,000:¥4.6217
参考库存:5421
DMN95H8D5HCT
Diodes Incorporated
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: >800V TO220AB TUBE 50PCS
1:¥9.0626
10:¥7.684
100:¥5.9551
500:¥5.2658
1,000:¥4.1471
参考库存:4932
SMUN5113DW1T1G
ON Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 SS BR XSTR PNP 50V
1:¥3.2996
10:¥2.3391
100:¥1.07576
1,000:¥0.82264
3,000:¥0.69947
参考库存:11268
APT50GP60JDQ2
Microsemi
晶体管
IGBT 模块 Insulated Gate Bipolar Transistor - PT Power MOS 7 - Combi
1:¥249.8091
5:¥238.5882
10:¥231.1302
25:¥212.3835
参考库存:43293
BF 2040 E6814
Infineon Technologies
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Silicon N-Channel MOSFET Tetrode 5V
1:¥3.3787
10:¥2.4295
100:¥1.11418
1,000:¥0.86106
3,000:¥0.72998
参考库存:22718
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