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晶体管
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FB30R06W1E3

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库存:3,191(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥283.3136
283.3136
5
¥280.3869
1401.9345
10
¥261.3351
2613.351
25
¥249.5718
6239.295
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 模块
产品
IGBT Silicon Modules
配置
Hex
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
2 V
在25 C的连续集电极电流
39 A
栅极—射极漏泄电流
400 nA
Pd-功率耗散
115 W
封装 / 箱体
EASY1B
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
封装
Tray
高度
12 mm
长度
62.8 mm
宽度
33.8 mm
商标
Infineon Technologies
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
24
子类别
IGBTs
零件号别名
FB30R06W1E3BOMA1 SP000307549
单位重量
24 g
商品其它信息
优势价格,FB30R06W1E3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Small-Signal BJT
1:¥194.7894
5:¥185.0262
10:¥180.1898
25:¥165.5902
参考库存:2143
晶体管
MOSFET N-Ch, 500V-3ohms Zener SuperMESH 2.3A
6,000:¥1.6724
12,000:¥1.6046
24,000:¥1.5368
48,000:¥1.5142
参考库存:32711
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30V
1:¥4.8364
10:¥4.0228
100:¥2.599
1,000:¥2.0792
2,000:¥2.0792
参考库存:4488
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Silicon AF TRANSISTOR
1:¥1.6159
10:¥1.3221
100:¥0.46104
1,000:¥0.31527
10,000:¥0.24634
20,000:查看
参考库存:34470
晶体管
MOSFET NFET DPAK 60V 102A 6MOHM
1:¥11.3678
10:¥9.6841
100:¥7.4128
500:¥6.554
2,500:¥4.5878
10,000:查看
参考库存:3124
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