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晶体管
FB30R06W1E3参考图片

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FB30R06W1E3

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库存:3,191(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥283.3136
283.3136
5
¥280.3869
1401.9345
10
¥261.3351
2613.351
25
¥249.5718
6239.295
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 模块
产品
IGBT Silicon Modules
配置
Hex
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
2 V
在25 C的连续集电极电流
39 A
栅极—射极漏泄电流
400 nA
Pd-功率耗散
115 W
封装 / 箱体
EASY1B
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
封装
Tray
高度
12 mm
长度
62.8 mm
宽度
33.8 mm
商标
Infineon Technologies
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
24
子类别
IGBTs
零件号别名
FB30R06W1E3BOMA1 SP000307549
单位重量
24 g
商品其它信息
优势价格,FB30R06W1E3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET N-Ch 60 Volt 35 Amp
1:¥11.0627
10:¥9.4468
100:¥7.2885
500:¥6.441
2,500:¥4.5087
10,000:查看
参考库存:4720
晶体管
MOSFET N-Ch 80V 120A TO220-3
1:¥21.5943
10:¥18.3625
100:¥15.9104
250:¥15.0629
参考库存:4587
晶体管
MOSFET HIGH POWER_NEW
1:¥61.246
10:¥55.4039
25:¥52.7936
100:¥45.878
参考库存:3935
晶体管
MOSFET Automotive-grade P-channel -30 V, 33 mOhm typ., -20 A STripFET F6 Power MOSFET in a DPAK package
暂无价格
参考库存:35878
晶体管
MOSFET N-Ch 60V 90A D2PAK-2 OptiMOS 3
1:¥11.526
10:¥9.831
100:¥7.8422
500:¥6.893
1,000:¥5.7178
参考库存:5708
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