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晶体管
IPU80R1K4P7AKMA1参考图片

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IPU80R1K4P7AKMA1

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库存:4,186(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥7.1416
7.1416
10
¥6.1133
61.133
100
¥4.7008
470.08
500
¥4.1471
2073.55
1,000
¥3.277
3277
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-251-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
800 V
Id-连续漏极电流
4 A
Rds On-漏源导通电阻
1.4 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压
3 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
10 nC
最小工作温度
- 50 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
32 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
CoolMOS
封装
Tube
高度
6.22 mm
长度
6.73 mm
系列
CoolMOS P7
宽度
2.38 mm
商标
Infineon Technologies
下降时间
20 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
8 ns
工厂包装数量
1500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
40 ns
典型接通延迟时间
10 ns
零件号别名
IPU80R1K4P7 SP001422742
单位重量
340 mg
商品其它信息
优势价格,IPU80R1K4P7AKMA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
JFET 30Vgd P-Ch JFET Engineering Hold
6,000:¥1.6837
12,000:¥1.6159
24,000:¥1.5594
48,000:¥1.5368
参考库存:30932
晶体管
MOSFET NFET SO8FL 30V 10.8A 7MO
1,500:¥10.2152
4,500:¥9.831
9,000:¥9.2999
参考库存:30935
晶体管
MOSFET 650V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK
1:¥37.8098
10:¥31.3462
100:¥25.8205
250:¥24.973
参考库存:30938
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
50:¥1,159.2105
参考库存:30941
晶体管
IGBT 模块
100:¥337.3276
250:¥330.2538
参考库存:30944
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