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晶体管
FZT1149ATA参考图片

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FZT1149ATA

  • Diodes Incorporated
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN High Gain & Crnt
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库存：3,994(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥6.5314
6.5314
10
¥5.4805
54.805
100
¥3.5369
353.69
1,000
¥2.825
2825
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
是
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-223-4
晶体管极性
PNP
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
- 25 V
集电极—基极电压 VCBO
- 30 V
发射极 - 基极电压 VEBO
- 5 V
集电极—射极饱和电压
- 230 mV
最大直流电集电极电流
4 A
增益带宽产品fT
135 MHz
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
FZT114
直流电流增益 hFE 最大值
270
高度
1.65 mm
长度
6.7 mm
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
宽度
3.7 mm
商标
Diodes Incorporated
集电极连续电流
- 4 A
直流集电极/Base Gain hfe Min
270 at 10 mA, 2 V, 250 at 500 mA, 2 V, 195 at 2 A, 2 V, 115 at 5 A, 2 V
Pd-功率耗散
2.5 W
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
1000
子类别
Transistors
单位重量
112 mg
商品其它信息
优势价格，FZT1149ATA的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
SIA921EDJ-T4-GE3
Vishay / Siliconix
晶体管
MOSFET -20V Vds 12V Vgs PowerPAK SC-70
1:¥4.9946
10:¥3.9776
100:¥3.0171
500:¥2.486
3,000:¥1.808
6,000:查看
参考库存:15821
DMG4822SSDQ-13
Diodes Incorporated
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 31V-40V
1:¥6.4523
10:¥5.3675
100:¥3.4578
1,000:¥2.7685
2,500:¥2.7685
参考库存:4124
DMC1028UFDB-13
Diodes Incorporated
晶体管
MOSFET N-Ch 12VDss 8Vgss P-Ch 8Vdss 8Vgss
10,000:¥2.4634
参考库存:15826
MT3S113P(TE12L,F)
Toshiba
晶体管
射频(RF)双极晶体管 RF Bipolar Transistor .1A 1.6W
1:¥7.6049
10:¥6.0681
100:¥4.6669
500:¥4.1132
1,000:¥3.2544
参考库存:15829
DMT3006LFV-13
Diodes Incorporated
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30V
1:¥4.9946
10:¥4.1471
100:¥2.6781
1,000:¥2.147
参考库存:4632
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