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晶体管
IRG4PH40KDPBF参考图片

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IRG4PH40KDPBF

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 1200V ULTRAFAST 4-20 KHZ COPACK IGBT
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库存:5,842(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥48.7934
48.7934
10
¥41.4145
414.145
100
¥35.8888
3588.88
250
¥34.1147
8528.675
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
1.2 kV
集电极—射极饱和电压
3.4 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
30 A
Pd-功率耗散
160 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
30 A
高度
20.3 mm
长度
15.9 mm
宽度
5.3 mm
商标
Infineon Technologies
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
400
子类别
IGBTs
零件号别名
SP001544794
单位重量
38 g
商品其它信息
优势价格,IRG4PH40KDPBF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 30V 70Amp N channel Power Mosfet with ESD protection
1:¥5.3788
10:¥4.6895
100:¥3.6047
500:¥2.6781
2,500:¥1.8871
5,000:查看
参考库存:8016
晶体管
MOSFET N-Channel
1:¥2.6103
10:¥1.7176
100:¥0.73789
1,000:¥0.56839
3,000:¥0.43053
参考库存:8470
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 40V
1:¥1.3108
10:¥1.04525
100:¥0.36838
1,000:¥0.25312
3,000:¥0.1921
参考库存:113513
晶体管
MOSFET 30V Dual N-CH PowerTrench MOSFET
1:¥3.842
10:¥3.1979
100:¥1.9549
1,000:¥1.5029
3,000:¥1.2882
参考库存:86874
晶体管
MOSFET 30V P-Ch Enh Mode 72mOhm -10V -3.9A
1:¥3.1527
10:¥2.0566
100:¥0.88366
1,000:¥0.67574
3,000:¥0.51528
参考库存:44527
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