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晶体管
PD57060-E参考图片

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PD57060-E

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Pwr Transistors LDMOST Plastic Fam
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库存:4,275(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥415.5462
415.5462
5
¥406.2576
2031.288
10
¥390.3472
3903.472
25
¥377.7477
9443.6925
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
7 A
Vds-漏源极击穿电压
65 V
增益
14.3 dB
输出功率
60 W
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerSO-10RF-Formed-4
封装
Tube
配置
Single
高度
3.5 mm
长度
7.5 mm
工作频率
1 GHz
系列
PD57060S-E
类型
RF Power MOSFET
宽度
9.4 mm
商标
STMicroelectronics
通道模式
Enhancement
湿度敏感性
Yes
Pd-功率耗散
79 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
400
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
单位重量
3 g
商品其它信息
优势价格,PD57060-E的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET N Ch 60Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified
1:¥23.278
10:¥19.2891
100:¥15.9104
250:¥15.368
参考库存:3407
晶体管
MOSFET TAPE13 PWR-MOS
1:¥6.3732
10:¥5.311
100:¥3.4239
1,000:¥2.7459
2,500:¥2.3165
参考库存:13503
晶体管
MOSFET N-Chan 500V 2.4 Amp
1:¥9.4468
10:¥7.5484
100:¥6.5992
500:¥5.1189
1,000:¥4.0454
参考库存:4654
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN 45V 1MA
1:¥2.5312
10:¥1.6837
100:¥0.70738
1,000:¥0.47686
3,000:¥0.37629
参考库存:12749
晶体管
MOSFET 1 P-CH -30V HEXFET 59mOhms 4.7nC
1:¥4.8364
10:¥4.0228
100:¥2.599
1,000:¥2.0792
4,000:¥2.0792
参考库存:6709
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