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晶体管
PD55025TR-E参考图片

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PD55025TR-E

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Power Trans N-Channel
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数量单价合计
1
¥220.0675
220.0675
5
¥217.8414
1089.207
10
¥203.0158
2030.158
25
¥193.8628
4846.57
600
¥157.4429
94465.74
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
是
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
7 A
Vds-漏源极击穿电压
12.5 V
增益
14.5 dB
输出功率
25 W
最大工作温度
+ 165 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerSO-10RF-2
封装
Reel
配置
Single Common Source
工作频率
500 MHz
系列
PD55025-E
类型
RF Power MOSFET
商标
STMicroelectronics
湿度敏感性
Yes
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
600
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
40 V
商品其它信息
优势价格,PD55025TR-E的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 AF DIGITAL TRANSISTOR
20,000:¥0.36838
参考库存:29942
晶体管
MOSFET 200V Vds 16V Vgs PowerPAK SC-70
1:¥7.2207
10:¥5.9212
100:¥4.5426
500:¥3.8985
5,000:¥2.7346
10,000:查看
参考库存:29945
晶体管
MOSFET 600V 7A Single N-Chan Pwr MOSFET
4,000:¥5.0624
6,000:¥4.8138
10,000:¥4.7008
参考库存:29948
晶体管
MOSFET MOSFET NCh7.8ohm VGS10V10uAVDS120V
暂无价格
参考库存:29951
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER R.F.
1:¥124.4017
10:¥114.4125
25:¥109.6552
100:¥96.5924
250:¥91.8238
参考库存:29954
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