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晶体管
PD55025TR-E参考图片

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PD55025TR-E

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Power Trans N-Channel
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库存:43,534(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥220.0675
220.0675
5
¥217.8414
1089.207
10
¥203.0158
2030.158
25
¥193.8628
4846.57
600
¥157.4429
94465.74
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
7 A
Vds-漏源极击穿电压
12.5 V
增益
14.5 dB
输出功率
25 W
最大工作温度
+ 165 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerSO-10RF-2
封装
Reel
配置
Single Common Source
工作频率
500 MHz
系列
PD55025-E
类型
RF Power MOSFET
商标
STMicroelectronics
湿度敏感性
Yes
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
600
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
40 V
商品其它信息
优势价格,PD55025TR-E的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
JFET SS SOT23 JFET XSTR SPCL
1:¥3.3787
10:¥2.5651
100:¥1.3899
1,000:¥1.04525
3,000:¥0.89948
9,000:¥0.84524
参考库存:21928
晶体管
达林顿晶体管 Hi-Vltg Hi-Current Dar Transistor Array
1:¥6.8365
10:¥5.8421
100:¥4.4635
500:¥3.9437
2,500:¥2.7685
10,000:查看
参考库存:5656
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 COMP TRANS W/BLT IN RES FLT LD 1.6x1.6mm
1:¥4.9946
10:¥3.8759
100:¥3.4013
500:¥3.0397
8,000:¥1.8871
参考库存:9321
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 150W
1:¥25.7414
10:¥21.8203
100:¥18.984
250:¥17.9783
参考库存:1828
晶体管
MOSFET 250V N-Channel PowerTrench
1:¥33.6514
10:¥28.6568
100:¥24.8148
250:¥23.5944
500:¥21.131
参考库存:2353
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